|
تفاصيل المنتج:
شروط الدفع والشحن:
|
| اسم المنتج: | مفاتيح الوضع المتعدد | ميناء: | 2 × 2 |
|---|---|---|---|
| صفقة: | صندوق الألمنيوم | كابل: | 2 مم |
| الطول: | 0.5 متر | موصل: | SC / APC |
| تسليط الضوء: | ,,sfp fiber optic transceiver |
||
850nm تجاوز مفاتيح الوضع المتعدد
GEZHI 850nm تجاوز مفاتيح الوضع المتعدد ، والتي تشتهر بأدائها العالي ، وفقدان الإدخال المنخفض والأبعاد المدمجة.إنه مكون مثالي لـ OADM و OXC ومراقبة النظام وحمايته.مع الحزمة المدمجة ، فإن850nm تجاوز مفاتيح الوضع المتعدد يمكن أن يكون من السهل دمجه في نظام اتصال بصري عالي الكثافة.
كل GEZHI 850nm تجاوز مفاتيح الوضع المتعددكل الطول الموجي عند 1260nm ~ 1650nm أو 850nm متعدد الطول الموجي ، فإنه يوفر موثوقية عالية للغاية ، وفقدان إدخال منخفض ، وسرعة تحويل سريعة بالإضافة إلى أداء ثنائي الاتجاه.ال850nm تجاوز مفاتيح الوضع المتعدد تستخدم على نطاق واسع للشبكة الضوئية والحماية وحماية المرسل والمستقبل ونظام اختبار الشبكة والأجهزة.
| المميزات | التطبيقات |
|
|
معلومات الطلبمن850nm تجاوز مفاتيح الوضع المتعدد
GZ-FSW-2x2BA-X-XX-XXX-XX-X-XX
| الوضع | الطول الموجي | نوع الجهد | نموذج التحكم | نوع الألياف | قطر الألياف | طول الألياف | موصل |
| S = SM م = مم |
85 = 850 نانومتر 13 = 1310 نانومتر 15 = 1550 نانومتر 13/15 = 1310/1550 نانومتر X = آخرون |
3 = 3 فولت 5 = 5 فولت |
L = الإغلاق N = عدم الإغلاق |
5 = 50/125 6 = 62.5 / 125 9 = 9/125 X = آخرون |
25 = 250 ميكرومتر 90 = 900 ميكرومتر 20 = 2.0 مم 30 = 3.0 مم X = آخرون |
1 = 1 م 2 = 1.5 م X = آخرون |
0 = لا شيء
|
مواصفات 850nm تجاوز مفاتيح الوضع المتعدد
| المعلمات | GZ-FSW-2 × 2BA | ||
| نطاق الطول الموجي | نانومتر | 850 ± 40/1300 ± 40 | 1260 1650 |
| طول متوسط التشغيل | نانومتر | 850/1300 | 1310/1490/1550/1625/1650 |
| فقدان الإدراج | ديسيبل | النوع: 0.8 كحد أقصى: 1.2 | النوع: 0.7 كحد أقصى: 1.0 |
| تعويض الخساره | ديسيبل | مم≥30 SM≥50 | |
| الحديث المتبادل | ديسيبل | مم≥35 SM≥55 | |
| PDL | ديسيبل | ≤0.05 | |
| المكتبة الرقمية العالمية | ديسيبل | ≤0.25 | |
| TDL | ديسيبل | ≤0.25 | |
| التكرار | ديسيبل | ≤ ± 0.02 | |
| مزود الطاقة | الخامس | 3.0 أو 5.0 | |
| أوقات الحياة | مرات | ≥107 | |
| تبديل الوقت | تصلب متعدد | ≤8 | |
| انتقال السلطة | ميغاواط | 500 | |
| درجة حرارة التشغيل | ℃ | -20 + 70 | |
| درجة حرارة التخزين | ℃ | -40 + 85 | |
| وزن | ز | 16 | |
| البعد | مم | (L) 55.0 × (W) 30.0 × (H) 12.8 التخصيص متاح. | |
| نوع | حالة | الطريق البصري | محرك كهربائي | مستشعر الحالة | |
| 2 × 2BA | دبوس 1 | دبوس 2 | دبوس 3-4 | ||
| عدم الإغلاق | أ | P1-P3 | - | - | قريب |
| ب | P1-P4، P2-P3 | V + | GND | افتح | |
| نوع | حالة | الطريق البصري | محرك كهربائي | |||
| 2 × 2BA | دبوس 1 | دبوس 2 | دبوس 3 | دبوس 4 | ||
| الإغلاق | أ | P1-P3 | V + | GND | - | - |
| ب | P1-P4، P2-P3 | - | - | GND | V + | |
الطريق البصري من 850nm تجاوز مفاتيح الوضع المتعدد
| الحالة أ | الحالة ب |
 |
|
الأبعاد من 850nm تجاوز مفاتيح الوضع المتعدد
اتصل شخص: Ena Lin
الهاتف :: +8613544277727
